引言本文演示了pixel size为0.64μm的108Mega像素的CMOS图像传感器，其使用先进的nonacell结构技术来最大限度地提高微光性能。本文采用了一种新的9电荷和（9S）方法，并将用于确定信噪比（SNR）的操作方法和参数与传统的3电荷和3电压平均（3S3A）进行了比较。为了验证我们提出的方法，我们检查对比了图像特性，定量分析了由于产生的信号和转换增益效应而引起的器件性能的增强。与3

引言之前文章讲述了三星的车载基于DRAM技术的高动态图像传感器，本文讲解其2.1μm的车载图像传感器技术论文。 本文采用全深度深沟槽隔离和先进的电流读出电路技术，研制了一种汽车用2.1μm单曝光CMOS图像传感器。为了实现高动态范围，我们采用了亚像素结构，其特点是大光电二极管的高转换增益，以及连接到像素内存储电容器的小光电二极管的横向溢出。通过实现0.83e-的低随机噪声和210ke-的高溢出容量

引言以下讲述了在300mm硅平台上通过90nm CMOS兼容工艺实现的现有技术的背照（BI）单光子雪崩二极管（SPAD）阵列传感器。该阵列由10µm像素组成，每个像素使用7µm厚的硅有源层，可以将设备的光学灵敏度扩展到近红外（NIR）光谱。此外，采用掩埋金属全沟槽隔离（FTI）来抑制串扰（Xtalk），这是器件中的一个关键特征，该器件足够敏感，可以由相邻像素发射的单个电致发光光子触发。最后，为了最

引言近日，特斯拉全系列都使用上了HW4.0硬件，HW4.0相较于HW3.0主要在于SoC算力、CIS传感器分辨率、Pixel性能上有所提升。今天我们将基于索尼发布的技术论文，讲解Tesla所使用的SONY车规级IMX490图像传感器的芯片架构以及技术细节。 1. Introduction动态范围（DR）正成为CMOS图像传感器（CIS）的关键性能参数，尤其是在监控和汽车领域。几种众所周知的多次曝光

引言我们提出了一种i-ToF来改善功耗和运动伪影。在实现应用程序时需要深度信息的AR/VR和机器人设备在使用i-ToF时由于有限的功率和移动运动特性而受到限制。特别地，出现了根据高分辨率的实现的AP操作量的增加以及由于多帧操作而导致的延迟时间的限制。所提出的传感器具有嵌入式深度处理器，用于处理传感器内部的深度计算，并通过使用28nm工艺实现低功耗实现。此外，通过以250FPS的读出速度操

引言在之前的文章中《CIS|豪威200MP移动设备图像传感器技术论文解析》，我们介绍了豪威科技在移动端200Mega Pixels产品的技术论文，讲解了消费级CIS传感器的基本架构、工艺以及与车载应用不同之处，今天我们将继续借其下一代pixel size为0.56μm的技术论文，讲解其技术演变。 在本文中，我们描述了一种在28nm工艺中实现的具有0.56µm像素的200M像素CMOS图像传感器。该

引言之前的文章《ADAS-开源环视360全景拼接代码原理分析与实现（一）》和《ADAS-360环视拼接原理分析与C++实现(二)》中，我们介绍了汽车360环视拼接原理以及代码实现。随着技术的发展以及处理器图像处理能力的提升，540°全景影像技术应运而生。汽车540°全景影像技术是一项智能辅助驾驶的技术，相对于传统360影像，它多了一项透明底盘的功能。 它的基本原理和360环视拼接的原理相同，通过

引言本文介绍了适用于不同应用的最节能的图像传感器架构。作为案例研究，研究了汽车图像传感器和间接飞行时间图像传感器的两种应用。从测量和仿真结果来看，当图像信号处理器（ISP）在主机侧实现时，用于自动驾驶应用的汽车图像传感器将更加高效。相反，与芯片外软件深度ISP相比，ToF图像传感器在传感器侧的硬件深度ISP显示出显著更好的能效。 1. Introduction在过去的20年里，具有有源像素传感器（

引言做CIS的同学都知道，Sensor的pixel表面都有一个Micro Lens，用于聚光，而SPAD本质上也是一个光电二极管，为了起到同样的作用，各个厂家也对SPAD上的Micro Lens进行了研究。今天我们将介绍意法半导体ST发布论文为大家介绍SPAD上微透镜的应用。 在本文中，我们提出了两代基于元表面的平面微透镜的设计，它们在正面照明SPAD像素上实现。这种微透镜是传统回流微透镜的替代品

引言我们在之前论文中介绍了SONY、OVT、ONSEMI、SAMUNG等各大Sensor厂商的CIS产品以及Sensor架构等，今天我们将借Sony发布的工艺改进的技术论文，介绍工艺的提升对于Pixel性能的影响。 该论文向我们展示了具有高全阱容量（FWC）和低随机噪声（RN）的2层晶体管像素堆叠CMOS图像传感器（CIS）的开发。通过在3D顺序集成工艺中在不同的硅（Si）层上制造PD和像素晶体管